三星集团近日宣布，将向其西安的NAND闪存芯片工厂追加投资80亿美元，这一举措旨在通过技术创新来应对中国内存市场的竞争。早在2017年，三星已计划在西安投资70亿美元，用于扩建工厂，目前二期项目总投资更是达到150亿美元，预计于2021年完工。
西安工厂作为三星全球NAND芯片生产的重要基地，目前每月生产能力已提升至13万片晶圆，扩建后将进一步增强其在3D NAND生产领域的实力。同时，三星在韩国的华城、平泽和西安三地均设有生产设施，其中西安工厂自2014年起便持续生产NAND芯片。
面对中国本土内存生产商如紫光集团长江存储科技的挑战，三星加大了投资力度。今年9月，长江存储宣布64层256 Gb TLC 3D NAND闪存已实现量产，满足了市场对固态硬盘和嵌入式存储的日益增长需求。三星此举显然意在通过技术创新和扩大生产规模，稳固其在内存市场的领先地位。
